Diodes Inc. FZT857TA
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
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$ 0.727
Stock
539,180
119,448
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
300 V
Max Collector Current
3.5 A
3.5 A
Transition Frequency
80 MHz
80 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
345 mV
345 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FZT857TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 3.5 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Trans GP BJT NPN 300V 3.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 300V 3.5A SOT-223
300V 3W 100@500mA,10V 3.5A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
FZT857 Series NPN 3.5 A 300 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
General Purpose Transistors NPN Ic=3.5A Vceo=300V hfe=100~300 P=3W SOT223
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:300V; Typ Gain Bandwidth ft:80MHz; Power Dissipation Pd:3W; DC Collector Current:3.5A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; Case Style:SOT-223; Current Ic Hfe NPN Device:0.5A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic:3.5A; Max Current Ic Continuous a:3.5A; Max Power Dissipation Ptot:3W; Max Voltage Vce Sat:100mV; Min Hfe:100; No. of Transistors:1; Power Dissipation:3W; Pulsed Current Icm:5A; Reel Quantity:1000; SMD Marking:FZT857; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:350V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage345 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Continuous Collector Current3.5 A
Current Rating3.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current3.5 A
Max Frequency80 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen