Diodes Inc. FCX688BTA
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.2DD2678-13
DIODES INC. 2DD2678-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
Diodes Inc.FCX1051ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
onsemiFJC1963RTF
Trans GP BJT NPN 30V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FCX688BTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
FCX688B Series NPN 3 A 12 V SMT Silicon Power Switching Transistor - SOT-89
12V 2W 500@100mA,2V 3A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
400mV@ 50mA,4A NPN 2W 5V 100nA 12V 12V 3A SOT-89-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm
NPN TRANSISTOR 12V 3A 1W SOT89
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen