Diodes Inc. FCX1051ATA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
$ 0.332
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkFCX1051ATA1.2581Cut Tape
TME
2
FCX1051ATA01
10h
RS (Formerly Allied Electronics)FCX1051ATA050Bulk
14h
Future ElectronicsFCX1051ATA01KTape & Reel
AvnetFCX1051ATA01K
2d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet7 SeitenVor 5 Jahren
Datasheet6 SeitenVor 18 Jahren

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Details
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
Details
ROHM2SD1766T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Details
onsemiFJC1963RTF
Trans GP BJT NPN 30V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. FCX1051ATA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
Avnet Silica
40V 2W 290@10mA,2V 3A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
EBEE
40V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ComSIT Distribution GmbH
FCX1051A Series 40 V 3 A SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-89-3
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 40V 3A 4-Pin (3+Tab) SOT-89 T/R
Verical
340mV@ 100mA,5A NPN 2W 5V 10nA 150V 40V 3A SOT-89-3 1.6mm
UnikeyIC
TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:155MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:3A; Gain Bandwidth ft Typ:155MHz; Hfe Min:270; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:150V
element14 APAC

Bilder

Farnell
element14 APAC
Newark
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FCX1051ATA.