Diodes Inc. DXTA92-13
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DXT5401-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiKSA1201OTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 80 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
onsemiKSA1201YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
ROHMDTA023YEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DXTA92-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 2mA,20mA PNP 1W 5V 250nA 300V 300V 500mA SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Trans, Pnp, 300V, 0.5A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DXTA92-13
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
TypeGeneral Purpose
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen