Diodes Inc. FCX558TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
$ 0.235
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
FCX558TA01
17h
Newark
2
FCX558TA01Cut Tape
AvnetFCX558TA01K
20h
Future Electronics
2
FCX558TA01KTape & Reel
RS (Formerly Allied Electronics)FCX558TA050Bulk
8h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. FCX558TA herunter.

Newark

Datasheet7 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 11 Jahren

IHS

element14 APAC

Future Electronics

Diodes Inc SCT

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.DXTA92-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
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Diodes Inc.DXT3906-13
DXT3906 Series 40 V 200 mA PNP Surface Mount Transistor - SOT-89
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100V 1.5W 100@250mA,5V 1A PNP SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS
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Details
onsemiKSA1201YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
Details
ROHM2SB1580T100
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. FCX558TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Avnet Silica
FCX558 Series PNP 0.2 A 400 V SMT Silicon High Voltage Transistor - SOT-89
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Semicontronic
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
UnikeyIC
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Digi-ic_SMART PIONEER
500mV@ 6mA,50mA PNP 2W 7V 100nA 400V 400V 200mA SOT-89-3 1.6mm
Unikeyic (ICkey)
TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-400V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Farnell

Bilder

Farnell
Newark
LKR
Future Electronics
TME
iiiC
HQonline

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FCX558TA.