Diodes Inc. DMTH6004LPS-13

60V, 100A, 3.1mohm, N-Channel, PowerDI5060-8, Enhancement Mode Mosfet
$ 0.843
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMTH6004LPS-13 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 2 Jahren

Diodes Inc SCT

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-58.23%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. DMTH6004LPS-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.843
$ 1.92
Stock
81,556
310,550
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
22 A
22.1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.8 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
-
104 W
Input Capacitance
4.515 nF
7.56 nF

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.DMT6004LPS-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3.1 Milliohms, PowerDI5060, 8 Pins, Surface Mount
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin PQFN T/R
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 60 V, 100 A, 3.2 mΩ
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. DMTH6004LPS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

60V, 100A, 3.1mohm, N-Channel, PowerDI5060-8, Enhancement Mode Mosfet
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin PowerDI EP T/R
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
N-CH 60V 100A 3,1mOhm PwDI5060
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 100A, 60V; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004LPS-13

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • DMTH6004LPS13