Diodes Inc. DMN3033LSD-13
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Stock
671,043
930,882
Authorized Distributors
5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOP
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
6.9 A
7 A
Threshold Voltage
-
1.7 V
Rds On Max
20 mΩ
23 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
1.6 W
Input Capacitance
725 pF
635 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
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Diodes Inc.DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3033LSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Dual N-Channel 30 V 22 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2W 20V 2.1V@ 250µA 13nC@ 10V 2individualNChannel 30V 20mΩ@ 6.9A,10V 6.9A 725pF@15V SOIC-8 SMD mount 5.3mm*4.1mm*1.5mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance725 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance22 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen