Diodes Inc. DMN3026LVT-7
$ 0.154
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN3026LVT-7DICT-ND | 259 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3026LVT-7 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Newark | DMN3026LVT-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN3026LVT-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN3026LVT-7 | 0 | 3K | 2d |
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMG6402LVT-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 6A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG6402LVT-7
InfineonIRLTS6342TRPBF
TAPE AND REEL // MOSFET, 30V, 8.3A, 17.5 mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
Diodes Inc.DMP3065LVT-7
DMP Series 30 V 42 mOhm 1.6 W SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3026LVT-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
1.2W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1N 30V 23m¦¸@ 6.5A,10V 6.6A 643pF@15V TSOT-23-6
Mosfet, N-Ch, 30V, 6.6A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3026LVT-7
Single N-Channel 30 V 30 mOhm 12.5 nC 1.5 W Silicon Mosfet - TSOT-26
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
30V 6.6A 1.2W 23mΩ@6.5A,10V null SOT-23-6 MOSFETs ROHS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Capacitance643 pF
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance643 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max23 mΩ
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12.1 ns
Turn-On Delay Time2.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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