onsemi FDC8886

Name: onsemi FDC8886
Brand: onsemi
SKU: FDC8886

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

$ 0.181

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	FDC8886	1.570	1		0,154	0,154	0,154	0,154	0,154
Verical	2	FDC8886	1.570	38				0,154	0,154	0,154
Rochester Electronics	2	FDC8886	94.596					0,224	0,186	0,166	20h
DigiKey	3	FDC8886CT-ND	19.679	1	Cut Tape	0,930	0,578	0,375	0,259	0,259
Flip Electronics		FDC8886	9.000								7d

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 5 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDC8886, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

IHS

Single Pt8 N 30/20V Ssot6 |Onsemi FDC8886

Newark

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Bettlink

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-6

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight36 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance23 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time1 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance465 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.6 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation1.6 W

Rds On Max23 mΩ

Rise Time1 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.7 mm