Diodes Inc. DMN3024LK3-13
$ 0.235
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3024LK3-13 | 50 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN3024LK3-13 | 5.000 | 774 | |||||||||
| DigiKey | DMN3024LK3-13DICT-ND | 14.850 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3024LK3-13 | 2.500 | 1 | 4h | ||||||||
| Avnet | DMN3024LK3-13 | 0 | 2500 | 1d |
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP3010LK3-13
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Diodes Inc.DMN3016LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 37.8A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3016LK3-13
onsemiNTD23N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 3.8A Ta 17.1A Tc 17.1A 1.64W 2ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3024LK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 9.78A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 30V, 14.4A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:14.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.78 A
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance608 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation8.9 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time3.3 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen