Diodes Inc. DMN3005LK3-13
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Win Source | WS-DMN3005LK3-13 | 2.917 | 185 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | DMN3005LK3-13 | 16.742 | 7 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Aztech | DMN3005LK3-13 | 14.424 | 5h | |||||||||
| Anlinkda | DMN3005LK3-13 | 27.226 | 15h | |||||||||
| ALLICDATA ELECTRONICS | DMN3005LK3-13 | 2.500 | Tape & Reel | 7h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
Diodes Inc.DMP3010LK3-13
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 59.2 nC 3.4 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3005LK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W
N-CH 30V 14,5A 2,5mOhm TO252-3L RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.5 A
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time43.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.342 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max5 mΩ
Rise Time22.8 ns
Turn-Off Delay Time73.4 ns
Turn-On Delay Time7.9 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant