Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
$ 0.179
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN2990UFA-7BDICT-ND | 128.730 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2990UFA-7B | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Newark | DMN2990UFA-7B | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2990UFA-7B | 0 | 25 | Bulk | 3h | |||||||
| Avnet | DMN2990UFA-7B | 0 | 10K | 6d |
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Mosfet, P-Ch, 20V, 0.7A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP21D5UFB4-7B
Diodes Inc.DMN21D2UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.76A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2990UFA-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.51A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
Single N-Channel 20 V 2.4 Ohm 0.5 nC 400 mW Silicon SMT Mosfet - XFDFN-3
Trans MOSFET N-CH 20V 0.51A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 0.51A, X2-DFN0806;
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
400mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 0.5nC@ 4.5 V 1N 20V 990m¦¸@ 100mA,4.5V 510mA 27.6pF@16V SOT-963 800¦Ìm*600¦Ìm*390¦Ìm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)380 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance990 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance27.6 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max990 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height350 µm
Length650 µm
Width850 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen