Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
$ 0.121
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN21D2UFB-7B | 10.000 | 10K | 5d | ||||||||
| Newark | DMN21D2UFB-7B | 912 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN21D2UFB-7BDICT-ND | 67.646 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN21D2UFB-7B | 0 | 10K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | DMN21D2UFB-7B | 0 | 10K | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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N-Channel 20 V 600 mO 500 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1212-3
Diodes Inc.DMN2990UFA-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.51A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
Diodes Inc.DMN2400UFB4-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R / MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.76A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 0.76A Automotive 3-Pin DFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET, N CHANNEL, TRANS,20V 0.76A DFN3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.76A, X1-DFN1006;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Resistance990 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time9.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance27.6 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max990 mΩ
Rise Time4.2 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19.6 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen