Diodes Inc. DMN2300UFL4-7
$ 0.176
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2300UFL4-7 | 60.000 | 3K | 13h | ||||||||
| Newark | DMN2300UFL4-7 | 80 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN2300UFL4-7 | 60.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN2300UFL4-7 | 9.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 31-DMN2300UFL4-7CT-ND | 6.847 | 1 | Cut Tape |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP21D0UFB4-7B
DMP21D0UFB4 Series 20V 770 mA 495 mOhm P-Ch Enhancement Mode Mosfet-X2-DFN1006-3
Diodes Inc.DMN2250UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.35A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2250UFB-7B
Diodes Inc.DMP2069UFY4-7
530mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 9.1nC@ 4.5 V 1P 20V 54m¦¸@ 2.5A,4.5V 2.5A 214pF@10V 1.5mm*2mm*400¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2300UFL4-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.11A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-Channel 20V 195 mOhm 530 mW Enhancement Mode Mosfet -X2-DFN1310-6
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN1310 T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 2.11A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2300UFL4-7
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A Automotive 6-Pin X2-DFN T/R
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.11 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance195 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance64.3 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.39 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.39 W
Rds On Max195 mΩ
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen