Diodes Inc. DMN2250UFB-7B
$ 0.096
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2250UFB-7B | 1.444 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN2250UFB-7BCT-ND | 525 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2250UFB-7B | 0 | 10K | 4h | ||||||||
| Avnet | DMN2250UFB-7B | 0 | 10K | 13h | ||||||||
| Future Electronics | DMN2250UFB-7B | 0 | 10K | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2300UFD-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.21A, X1-Dfn1212 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2300UFD-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2250UFB-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.35A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2250UFB-7B
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.35 A, 0.17 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 1.35A Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
500mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 3.1nC@ 10 V 1N 20V 170m¦¸@ 1A,4.5V 1.35A 94pF@16V DFN 600¦Ìm*1mm*470¦Ìm
DMN2250UFB Series 20 V 1.35A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3
MOSFET, N-CH, 20V, 1.35A, X1-DFN1006;
Low On-Resistance | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.35 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance94 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max170 mΩ
Rise Time6.1 ns
Turn-Off Delay Time59.4 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen