Diodes Inc. DMN2016LHAB-7
$ 0.279
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMN2016LHAB-7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMN2016LHAB-7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 31-DMN2016LHAB-7CT-ND | 3.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2016LHAB-7 | 0 | 3K | 4h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2016LHAB-7 | 0 | 100 | Bulk | 21h |
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Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2016LHAB-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 7.7A 8-Pin uDFN2030 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R / MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
1.65W 12V 1.1V@ 250¦ÌA 16nC@ 4.5V 2N 20V 15.5m¦¸@ 4A,4.5V 7.5A 1.55nF@10V UDFN-20306 2mm*3mm*600¦Ìm
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
DUAL MOSFET N-CHANNEL 20V 7.5A DFN2030-6
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.65 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Rds On Max15.5 mΩ
Rise Time15.5 ns
Turn-Off Delay Time40.9 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Dimensions
Height600 µm
Length2.05 mm
Width3.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen