onsemi NTLGF3501NT2G
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Obsolete
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Price @ 1000
$ 0.476
$ 0.481
Stock
1,024,936
99,037
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
2.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
12 V
Power Dissipation
1.74 W
1.74 W
Input Capacitance
275 pF
275 pF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMS2120LFWB-7
1.5W(Ta) 12V 1.3V@ 250¦ÌA 1P 20V 95m¦¸@ 2.8A,4.5V 2.9A 632pF@10V WDFN-30208 3mm*2mm*780¦Ìm
Diodes Inc.DMP2069UFY4-7
530mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 9.1nC@ 4.5 V 1P 20V 54m¦¸@ 2.5A,4.5V 2.5A 214pF@10V 1.5mm*2mm*400¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTLGF3501NT2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 2-Pin SOD-123 T/R
N Channel Mosfet, 20V, 3.4A, Dfn6
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time13.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance275 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.14 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.74 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time13.6 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen