Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
$ 0.296
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2015UFDE-7 | 3.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN2015UFDE-7CT-ND | 2.960 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2015UFDE-7 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2015UFDE-7 | 0 | 50 | Bulk | 3h | |||||||
| Avnet | DMN2015UFDE-7 | 0 | 3K | 12h |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2015UFDE-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
660mW(Ta) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 45.6nC@ 10 V 1N 20V 11.6m¦¸@ 8.5A,4.5V 10.5A 1.779nF@10V DFN-2020,DFN-2020E-6,UDFN-20206
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.779 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.03 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max11.6 mΩ
Rise Time16.8 ns
Turn-Off Delay Time43.6 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen