Diodes Inc. DMN10H170SVT-7
$ 0.256
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN10H170SVT-7 | 1.326 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN10H170SVT-7DICT-ND | 3.997 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H170SVT-7 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Avnet | DMN10H170SVT-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H170SVT-7 | 0 | 3K |
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Verwandte Teile
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N-Channel 20 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
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N-Channel 30 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B Series 100 V 0.23 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN10H170SVT-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 100V, 2.6A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H170SVT-7
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
N-Channel 100 V 2.6 A 160 mOhm 1.2 W SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 2.6A Ta 2.6A 1.2W Ta 100V
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
MOSFET BVDSS: 61V~100V TSOT26 T&R 3K
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.167 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max160 mΩ
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