Diodes Inc. DMN10H099SFG-7
$ 0.324
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN10H099SFG-7 | 1.977 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN10H099SFG-7DICT-ND | 1.611 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H099SFG-7 | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Avnet | DMN10H099SFG-7 | 0 | 2K | 17h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H099SFG-7 | 0 | 2K |
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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN10H099SFG-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 100V, 4.2A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H099SFG-7
DMN10H Series, 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET - PowerDI3333-8
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
100V Dual N-CH Enhancement Mode MOSFET
RS APAC
DiodesZetex NMOS, Vds=100 V, 5.8 A, PowerDI3333-8, , 8
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight72.007789 mg
Technical
Capacitance1.127 nF
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time7.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.172 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max80 mΩ
Rise Time5.9 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
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