Diodes Inc. DMG5802LFX-7
$ 0.316
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMG5802LFX-7 | 0 | 3K | 14h | ||||||||
| Avnet | DMG5802LFX-7 | 0 | 3K | 5d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMG5802LFX-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 621-DMG5802LFX-7 | 16 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMG5802LFX-7 | 280.603 | >1wk |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP2039UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 25V, 6.7A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2039UFDE-7
Diodes Inc.DMN65D8LFB-7B
Single N-Channel 60 V 4 Ohm 0.4 nC 430 mW Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Diodes Inc.DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E / Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMG5802LFX-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 24V 6.5A 6-Pin WDFN5020 T/R
Trans MOSFET N-CH 24V 6.5A 6-Pin DFN EP T/R / MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Dual N-Channel 24 V 20 mOhm 14.5 nC 0.98 W Silicon SMT Mosfet - WDFN-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 24V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET DFN6
N-Channel Mosfet, 24V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
980mW 12V 1.5V@ 250¦ÌA 31.3nC@ 10V 2N 24V 15m¦¸@ 6.5A,4.5V 6.5A 1.0664nF@15V WDFN-50206 2mm*5mm*800¦Ìm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Fall Time22.45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.0664 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation980 mW
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation980 mW
Rds On Max15 mΩ
Rise Time13.43 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time32.18 ns
Turn-On Delay Time3.69 ns
Dimensions
Height800 µm
Length5.1 mm
Width2.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen