Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC
$ 0.675
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMC3A16DN8TC | 2.490 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMC3A16DN8TCCT-ND | 13.234 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Avnet | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 2500 | 14h | ||||||||
| Future Electronics | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 2500 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -24.53%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 6.4A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Current Rating6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance796 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max35 mΩ
Resistance48 mΩ
Rise Time6.4 ns
Turn-Off Delay Time21.6 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen