Diodes Inc. DMHC3025LSDQ-13
$ 0.477
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -4.44%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMHC3025LSDQ-13 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Diodes Inc. DMHC3025LSDQ-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.477
$ 0.443
Stock
481,349
3,177,927
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.6 A
4.6 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
25 mΩ
25 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
-
1.5 W
Input Capacitance
590 pF
590 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMHC3025LSDQ-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SOIC T/R
30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.5 W, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC / Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.025ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道/P沟道, 30V, 6A;
1.5W 20V 2V@ 250µA 11.7nC@ 10V，11.4nC@ 10V 2N+2PChannel 30V 25mΩ@ 5A,10V，50mΩ@ 5A,10V 6A，4.2A 590pF@ 15V，631pF@ 15V SOIC-8 SMD mount
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -4.44%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements4
Rds On Max25 mΩ
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMHC3025LSDQ-13 herunter.