Diodes Inc. DMG4468LK3-13
$ 0.265
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMG4468LK3-13DICT-ND | 1.080 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4468LK3-13 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Newark | DMG4468LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMG4468LK3-13 | 0 | 2500 | 14h | ||||||||
| Future Electronics | DMG4468LK3-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -64.25%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN3016LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 37.8A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3016LK3-13
Diodes Inc.DMG4800LK3-13
Single N-Channel 30 V 1.71 W 8.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
InfineonIRFR3707PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMG4468LK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 30V, 9.7A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4468LK3-13
Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel 30 V 16 mO 18.85 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - TO-252
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.01 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance867 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.68 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max16 mΩ
Rise Time14.53 ns
Turn-Off Delay Time18.84 ns
Turn-On Delay Time5.46 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen