Diodes Inc. DMC3016LSD-13
$ 0.298
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC3016LSD-13 | 80 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMC3016LSD-13 | 20 | 1 | Bulk | 4h | |||||||
| DigiKey | DMC3016LSD-13DICT-ND | 2.500 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMC3016LSD-13 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Future Electronics | DMC3016LSD-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -64.88%
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN4800LSSL-13
Single N-Channel 30 V 20 mOhm 8.7 nC 1.46 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
onsemiNTMS4706NR2G
Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMC3016LSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 8.2A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3016LSD-13
N & P-Channel 30 V 8.2A/6.2A Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.016ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time40.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.415 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max16 mΩ
Rise Time17.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60.5 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant