Diodes Inc. DDC143TU-7-F
$ 0.096
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DDC143TU-7-F | 1.600 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DDC143TU-FDICT-ND | 2.785 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DDC143TU-7-F | 21.000 | 3K | |||||||||
| TME | DDC143TU-7-F | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Avnet | DDC143TU-7-F | 0 | 3K | 1d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DDC143TU-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Rf Transistor, 50V, 0.1A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DDC143TU-7-F
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 200mW
Dual NPN, 50V, 0.1A, SOT363, 200mW
Diodes Inc SCT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN, PNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant