Diodes Inc. DDA114EH-7
$ 0.134
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DDA114EH-7 | 78.000 | 3K | |||||||||
| TME | DDA114EH-7 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Avnet | DDA114EH-7 | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| Win Source | WS-DDA114EH-7 | 18.000 | 570 | 12h | ||||||||
| UnikeyIC | DDA114EH-7 | 2.989 | 1 | Tape & Reel | 10h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
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ToshibaRN4902FE,LF(CT
Transistor Silicon PNP-NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
onsemiNSBA114EDXV6T5
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiNSBC114EPDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Beschreibungen
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Dual PNP, 50V, 0.1A, SOT563, 150mW
Diodes Inc SCT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
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