Diodes Inc. BCX5616TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
$ 0.095
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
BCX5616TA01
4h
Newark
2
BCX5616TA01Cut Tape
RS (Formerly Allied Electronics)BCX5616TA050Bulk
19h
AvnetBCX5616TA01K
8h
Future Electronics
2
BCX5616TA01KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. BCX5616TA herunter.

Newark

Datasheet7 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet1 SeiteVor 19 Jahren

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

iiiC

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details
ROHM2SD1898T100R
80V 2W 180@500mA,3V 1A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. BCX5616TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Avnet Silica
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
80V 1W 100@150mA,2V 1A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Win Source
BCP5616 Series NPN 1 A 80 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
Future Electronics
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=2W SOT89-3
HQonline
DIODES INC. - BCX5616TA - TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-89
Jak Electronics
TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:150mA; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:100V
element14 APAC

Bilder

Farnell
element14 APAC
Newark
TME
TME
Distrelec
Future Electronics
iiiC
HQonline

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BCX5616TA.