Diodes Inc. BC857BLP4-7B
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BC857BLP4-7B | 1.699 | 1699 | |||||||||
| Arrow Electronics | BC857BLP4-7B | 1.699 | 1699 | |||||||||
| DigiKey | 31-BC857BLP4-7BCT-ND | 20 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC857BLP4-7B | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | BC857BLP4-7B | 0 | 10K | 2d |
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Stock
646,307
236,508
236,508
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
DFN
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
-
250 mW
250 mW
Verwandte Teile
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BC857BLP4-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single Bipolar Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, 3 Pins, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC857B Series PNP 1000 mW 45 V 100 mA SMT Small Signal Transistor - DFN-3
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen