Diodes Inc. BC848BW-7-F
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Production
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC848BW-7-F | 27.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Verical | BC848BW-7-F | 27.000 | 6K | |||||||||
| DigiKey | 31-BC848BW-7-FCT-ND | 3.398 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC848BW-7-F | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Newark | BC848BW-7-F | 0 | 5 | Cut Tape |
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Stock
1,047,731
8,224,460
8,224,460
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-323
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
200 mW
300 mW
300 mW
Verwandte Teile
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount
ROHMDTC144TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJX3007RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJX3001RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BC848BW-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans, Npn, 30V, 0.1A, 150Deg C, 0.2W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BC848BW-7-F
600mV@ 5mA,100mA NPN 200mW 5V 20nA 30V 30V 100mA SOT-323 2.2mm*1.35mm*1mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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