Diodes Inc. BC847BLP-7B
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC847BLP-7B | 7.600 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | BC847BLP-7BDICT-ND | 366.155 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC847BLP-7B | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Avnet | BC847BLP-7B | 0 | 10K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | BC847BLP-7B | 0 | 10K |
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Stock
4,281,325
1,825,829
1,825,829
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
DFN
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
250 mW
250 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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2DC4617QLP Series NPN 1000 mW 50 V 100 mA Small Signal Transistor -X1-DFN1006-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BC847BLP-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Trans, Npn, 45V, 0.1A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BC847BLP-7B
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R
Transistor, NPN, 45V, 0.1A, 150DEG C, 1W;
600mV@ 5mA,100mA NPN 1W 6V 15nA 50V 45V 100mA DFN
NPN, 45V, 0.1A, DFN1006-3,100MHz
Diodes Inc SCT
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency100 MHz
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