Diodes Inc. BC817-40-7-F

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
$ 0.062
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BC817-40-7-F501Cut Tape
Future Electronics
2
BC817-40-7-F30.0003KTape & Reel
TME
2
BC817-40-7-F01
18h
RS (Formerly Allied Electronics)BC817-40-7-F03KBulk
13h
AvnetBC817-40-7-F03K
2d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet7 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet4 SeitenVor 17 Jahren

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.BC817-40-7-F
NexperiaBC817-40,215
NexperiaBC817-40,215
Price @ 1000
$ 0.062
$ 0.039
$ 0.039
Stock
3,101,524
90,651,742
90,651,742
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
-
-
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
170
250
250
Power Dissipation
350 mW
250 mW
250 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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onsemiBC81716MTF
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Details
onsemiBCW66G
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onsemiBC81740MTF
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. BC817-40-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Avnet Silica
45V 310mW 250@100mA,1V 500mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 / Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source
BC817-40 Series NPN 45 V 310 mW Small Signal Transisitor Surface Mount -SOT-23-3
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
TRANSISTOR,NPN,45V,0.5A,SOT23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:250hFE; Transi
element14 APAC

Bilder

RS
RS (Formerly Allied Electronics)
element14
Farnell
Newark
Distrelec
Future Electronics
TME
Micros
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BC817-40-7-F.