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onsemi MMBTA28

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.089
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
46AC13521.1645Cut Tape
Arrow ElectronicsMMBTA286621
VericalMMBTA2866273
Chip One StopMMBTA282.86010Cut Tape
3d
Rochester ElectronicsMMBTA283.516
1d

Datenblätter und Dokumente

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onsemi

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

Master Electronics

Newark

Fairchild Semiconductor

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-18.98%
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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMMBTA28
Diodes Inc.MMBTA28-7-F
Diodes Inc.MMBTA28-7-F
Price @ 1000
$ 0.089
$ 0.057
$ 0.057
Stock
399,641
2,540,817
2,540,817
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
800 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
350 mW
310 mW
310 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 years ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.FMMT491TC
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt FMMT491TC)
Details
PanasonicDSC2C01S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
Details
PanasonicDSC2C01R0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBTA28, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBTA28 Series 80 V CE Breakdown 0.8 A NPN Darlington Transistor - SSOT-3
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03.
TRANSISTOR, NPN, 80V, 0.8A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 10000hF
Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Continuous Collector Current, Ic:800mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.2V; Power Dissipation, Pd:350mW ;RoHS Compliant: Yes

Bilder

RS
Newark
TME
Newark
Future Electronics
element14
TME
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON4
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd