Infineon IRFB3206GPBF
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB3206GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Single N-Channel 60 V 3 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET, 60V, 210A, 3 MOHM, 120 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Trans MOSFET N-CH 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:210A; On Resistance, Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
- INFINEON TECHNO
- Infineon Technologies Americas Corp
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time82 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen