Vishay SISA18ADN-T1-GE3

Name: Vishay SISA18ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

$ 0.318

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	19X1956	241	1		0.073	0.073	0.035	0.021	0.018	22h
Newark	2	SISA18ADN-T1-GE3	9,312	5	Cut Tape		0.823	0.568	0.423	0.423
Verical		SISA18ADN-T1-GE3	3,000	3K						0.083
Arrow Electronics	2	SISA18ADN-T1-GE3	3	1		0.039	0.039	0.039	0.039	0.039
Future Electronics		SISA18ADN-T1-GE3	12,000	3K	Tape & Reel					0.360

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IHS

Datasheet13 页10 年前

element14 APAC

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-03-03

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SISA18ADN-T1-GE3 的描述。

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Fly-Wing Technology

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 38.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250¦ÌA 21.5nC@ 10 V 1N 30V 7.5m¦¸@ 10A,10V 38.3A 1nF@15V PPAK-1212-8,QFN-8 3.05mm*3.05mm*1.07mm

UnikeyIC

MOSFET, N-CH, 30V, 38.3A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:19.8W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited

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