Vishay SIS892ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS892ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity: N Channel; Continu

$ 0.521

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIS892ADN-T1-GE3	20,001	1	Cut Tape	1.800	1.210	0.864	0.792	0.792
Verical	3	SIS892ADN-T1-GE3	1,708	14				0.485	0.423	0.423
Arrow Electronics	2	SIS892ADN-T1-GE3	1,708	1		0.628	0.557	0.485	0.423	0.423
TME	2	SIS892ADN-T1-GE3	2,840	1		1.530	0.971	0.658	0.516	0.516	19h
DigiKey	3	SIS892ADN-T1-GE3CT-ND	24,374	1	Cut Tape	1.720	1.088	0.726	0.521	0.521

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Newark

Datasheet13 页10 年前

Datasheet13 页11 年前

Farnell

TME

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供应链

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIS892ADN-T1-GE3 的描述。

MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continu

Newark

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Win Source

MOSFET Devices; VISHAY; SIS892ADN-T1-GE3; 100 V; 7.4 A; 20 V; 3.7 W

Maritex

MOSFET 100V 33MOHM@10V 28A N-CH MV T-FET

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Vishay NMOS, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK 1212-8, , 8

UnikeyIC

MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell