Vishay SIR470DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR470DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIR470DP-T1-GE3

Single N-Channel 40 V 0.0023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

$ 1.361

NRND

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SIR470DP-T1-GE3	3,000	3K						1.119	3d
Newark	2	SIR470DP-T1-GE3	3,000	1	Cut Tape	2.010	2.010	1.260	1.010	1.010
Verical		SIR470DP-T1-GE3	6,000	3K						0.543
Arrow Electronics		SIR470DP-T1-GE3	6,000	3K						0.543
DigiKey	3	SIR470DP-T1-GE3CT-ND	26,443	1	Cut Tape	3.760	2.457	1.714	1.392	1.392

数据表和文档

下载 Vishay SIR470DP-T1-GE3 的数据表和制造商文档。

Newark

Datasheet13 页11 年前

Datasheet13 页10 年前

Datasheet13 页11 年前

Farnell

库存历史记录

3 个月趋势:

+12.10%

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Vishay SIR470DP-T1-GE3 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
Component Search Engine	符号封装	3D	下载
Ultra Librarian	符号封装		下载

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-09-28

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIR470DP-T1-GE3 的描述。

Single N-Channel 40 V 0.0023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

Future Electronics

N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A, SOIC, FULL R

Farnell

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET

Semicontronic

6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 155nC@ 10 V 1N 40V 2.3m¦¸@ 20A,10V 60A 5.66nF@20V 4.9mm*5.89mm*1.07mm

UnikeyIC

N Channel Mosfet, 40V, 60A, Soic, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR470DP-T1-GE3.

Newark