Vishay SIA445EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA445EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET, P-CH, -20V, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous D

$ 0.306

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SIA445EDJ-T1-GE3	9,000	3K						0.199	1d
Newark	2	SIA445EDJ-T1-GE3	2,476	1	Cut Tape	1.370	0.846	0.558	0.374	0.374
Verical	2	SIA445EDJ-T1-GE3	2,192	6			0.202	0.202	0.202	0.202
Arrow Electronics	3	SIA445EDJ-T1-GE3	2,192	1		0.202	0.202	0.202	0.202	0.202
TME	2	SIA445EDJ-T1-GE3	0	3K						0.398*	13h

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Newark

Datasheet9 页10 年前

Farnell

element14 APAC

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备用零件

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VishaySIA445EDJ-T1-GE3

VishaySIA445EDJT-T1-GE3

Price @ 1000

$ 0.306

$ 0.25

Stock

672,517

87,235

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

-500 mV

Rds On Max

16.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

3.5 W

Input Capacitance

2.13 nF

供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIA445EDJ-T1-GE3 的描述。

MOSFET, P-CH, -20V, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous D

Newark

Single P-Channel 20 V 0.0165 O 23 nC Power Mosfet - PowerPAK-SC-70-6L

Future Electronics

MOSFET P-CH, 20V, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:19W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

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