Vishay SI1902DL-T1-E3

Name: Vishay SI1902DL-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI1902DL-T1-E3

Dual N-Channel 20 V 0.385 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-363

$ 0.363

Obsolete

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价格与库存

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Distributor		SKU		Min	Pkg
TME	2	SI1902DL-T1-E3	0	1		0.490	0.418	0.290	0.209	0.203	8h
TTI Asia		SI1902DL-T1-E3	联系方式								13h
TTI Europe		SI1902DL-T1-E3	0	3K	Tape & Reel						13h
element14 APAC	2	SI1902DL-T1-E3	0	5	Cut Tape		0.243*	0.211*	0.195*	0.186*	23h
Farnell	2	SI1902DL-T1-E3	0	5	Cut Tape		0.242*	0.159*	0.133*	0.133*	10h

数据表和文档

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IHS

Datasheet10 页3 年前

Upverter

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

库存历史记录

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-4.07%

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供应链

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI1902DL-T1-E3 的描述。

Dual N-Channel 20 V 0.385 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-363

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R

Avnet

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, DUAL, N, 6-SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Continuous Drain Current Id:700mA; Current Id Max:660mA; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):385mohm; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

element14 APAC