STMicroelectronics STP10NK60Z

Name: STMicroelectronics STP10NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP10NK60Z

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package

$ 1.582

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STP10NK60Z	1,368	1		3.050	2.340	2.000	1.750	1.750
Arrow Electronics		STP10NK60Z	5,578	1		2.043	2.043	1.834	1.500	1.412
Verical		STP10NK60Z	5,577	11				1.844	1.508	1.420
TME	2	STP10NK60Z	247	1		3.380	2.450	1.810	1.510	1.460	18h
DigiKey		497-4117-5-ND	448	1	Tube	4.640	4.640	2.160	1.654	1.510

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Future Electronics

Datasheet24 页14 年前

element14 APAC

Farnell

Nu Horizons

iiiC

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STP10NK60Z 的描述。

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

10 A 600 V 0.75 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 11

Farnell

Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:10A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):750Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP10NK60Z

Newark