STMicroelectronics STGWA30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWA30M65DF2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 1.374

Production

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Distributor		SKU		Min
Newark		STGWA30M65DF2	100	1	2.570	2.570	2.570	2.570	2.570
TME	2	STGWA30M65DF2	0	1	2.580	2.580	2.580	2.580	2.580	4h
Avnet		STGWA30M65DF2	0	600				1.291	1.086	7h
Arrow Electronics		STGWA30M65DF2	0	600				1.333	1.294
Farnell		STGWA30M65DF2	71	1	2.315*	2.029*	1.675*	1.512*	1.512*	1d

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Newark

Datasheet18 页9 年前

Datasheet19 页10 年前

element14 APAC

TME

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-05-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STGWA30M65DF2 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STMicroelectronics

IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-247-3; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 258W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pi

Farnell

Igbt, Single, 650V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:258W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGWA30M65DF2

Newark