STMicroelectronics STGP20H60DF

Name: STMicroelectronics STGP20H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGP20H60DF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.83

Production

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Distributor		SKU		Min
Newark		STGP20H60DF	836	1	2.820	1.590	1.470	1.280	1.280
TME	2	STGP20H60DF	51	1	2.330	1.620	1.140	1.140	1.140	12h
Avnet		STGP20H60DF	0	1K				0.758	0.663	15h
Arrow Electronics		STGP20H60DF	0	1K				0.829	0.781
Farnell		STGP20H60DF	836	1	2.781*	1.363*	1.233*	0.920*	0.920*	12h

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Newark

Datasheet22 页13 年前

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-10-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STGP20H60DF 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

167W 40A 600V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Semicontronic

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

STMicroelectronics

IGBT, SINGLE, 600V, 40A, TO-220; Continuous Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

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