STMicroelectronics STGP14NC60KD

Name: STMicroelectronics STGP14NC60KD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGP14NC60KD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220

$ 0.646

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Distributor		SKU		Min
Avnet		STGP14NC60KD	400	1K				0.573	0.517	8h
Newark		STGP14NC60KD	176	1	2.280	1.240	1.110	0.897	0.880
Arrow Electronics		STGP14NC60KD	2,225	1	1.937	0.984	0.883	0.646	0.580
Verical		STGP14NC60KD	2,220	12			0.882	0.645	0.562
TME	2	STGP14NC60KD	33	1	1.650	1.240	1.240	1.240	1.240	4h

数据表和文档

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Newark

Datasheet16 页20 年前

Datasheet26 页8 年前

Farnell

iiiC

Future Electronics

Nu Horizons

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STGP14NC60KD 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220

Win Source

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

STGP Series IGBT Low On State Through Hole IGBT - TO-220-3

Future Electronics

IGBT, TO-220; DC Collector Current: 25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem

Farnell

Igbt, To-220; Corriente De Colector Dc:25A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):2.5V; Disipación De Potencia Pd:80W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:3; Temperatura De Trabajo Máx.:150°C |Stmicroelectronics STGP14NC60KD

Newark