ROHM US6J11TR

Name: ROHM US6J11TR
Brand: ROHM
SKU: US6J11TR

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SOT-363T Emboss T/R

$ 0.263

NRND

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IHS

Datasheet13 页9 年前

Newark

_legacy Avnet

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-08-18

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

描述

由其分销商提供的 ROHM US6J11TR 的描述。

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SOT-363T Emboss T/R

Avnet

Dual P-Channel 1 W 12 V 260 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TUMT-6

Future Electronics

1W 10V 1V@1mA 2.4nC@ 4.5V 2P 12V 260m¦¸@ 1.3A,4.5V 1.3A 290pF@6V SOT-363T-6 820¦Ìm

UnikeyIC

Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin TUMT T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0013A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

P+P CHAN.FET+ESD 1,3A 12V TUMT6

Rutronik

MOSFET, DUAL P-CH, -12V, TUMT; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.3A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 1W; Transistor Case Style: TUMT; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Farnell