CAD 模型
引脚表
编号
类别
显示名称和功能
模型信息
| 来源 | Renesas |
|---|---|
| 发布日期 | Aug 14, 2025 |
| 符合 IPC 标准 | IPC-7351B |
| 风格指南修订 | 版本 1.0 - Nov 1, 2024 |
| 数据表来源 | 版本 1.00 - Jun 10, 2022 |
验证
根据该零件的样式指南和数据表，三位独立的电子工程专家创建了：
- 3 个版本的符号和 2D 封装
- 1 个版本的 3D STEP 模型（STEP 格式 AP-214）
- 制造商调色板配置
所有创建的库文件都与图层映射无关，可轻松映射到设计中。
然后通过以下检查对创建的符号和封装进行比较：
符号
自动检查
- 零件编号
- 关键参数
- 包装代码
- 引脚名称/编号
- 引脚类型
手动检查
- 根据样式指南整理引脚
封装
自动检查
- IPC 标准
- 丝印间隙
- Courtyard 超额
- 包装外形
- 极性标记
- 焊盘尺寸和位置验证
3D STEP 模型
手动检查
- 尺寸验证
- 调色板合规性
- 格式合规性
- 将方向映射到 2D 封装
- 2D 封装位置验证
进行最终验证过程：
如果符号和封装匹配：零件已验证为 ECAD 就绪
如果符号和封装不匹配：高级电子工程师将审查所有差异，确保零件符合样式指南和数据表要求
备用零件
Price @ 1000
$ 2.766
$ 2.681
Stock
219,433
45,265
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
-100 A
-100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-20 V
-20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
15 nF
15 nF
供应链
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Introduction Date2007-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)
描述
由其分销商提供的 Renesas NP100P06PDG-E1-AY 的描述。
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
制造商别名
Renesas 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Renesas 也可称为以下名称：
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
技术规格
Physical
Case/PackageTO-263
MSL1
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)-100 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time100 ns
Part FamilyNP100P06PDG
Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V
Input Capacitance15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time275 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.65 mm
Length10 mm
Width9 mm
文档
下载 Renesas NP100P06PDG-E1-AY 的数据表和制造商文档。
官方数据表3 年前