onsemi NGTB10N60R2DT4G

Name: onsemi NGTB10N60R2DT4G
Brand: onsemi
SKU: NGTB10N60R2DT4G

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

$ 0.66

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	NGTB10N60R2DT4G	11,064	425					0.734	0.654
Rochester Electronics		NGTB10N60R2DT4G	12,354					0.707	0.587	0.523	8h
Flip Electronics		NGTB10N60R2DT4G	585,000								5h
Avnet		NGTB10N60R2DT4G	0	1516						0.664	3d
Farnell	2	NGTB10N60R2DT4G	0	1	Cut Tape	0.865*	0.683*	0.496*	0.496*	0.496*	8h

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Technical Drawing1 页3 年前

IHS

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供应链

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi NGTB10N60R2DT4G 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins

Jak Electronics

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IHS

IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3

element14 APAC

72W 1.7V 600V 20A TO-252 2.38mm

UnikeyIC

IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 72W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins

Farnell