onsemi FDB13AN06A0

Name: onsemi FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 13.5mΩ

$ 0.961

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FDB13AN06A0	800	75				0.993	0.928	0.928
Arrow Electronics	2	FDB13AN06A0	4	1		0.961	0.961	0.961	0.961	0.961
Master Electronics		FDB13AN06A0	800	25				0.844	0.789	0.765
Onlinecomponents.com		FDB13AN06A0	800	25	Bulk			0.844	0.789	0.765
DigiKey	3	FDB13AN06A0CT-ND	9,784	1	Cut Tape	3.120	2.020	1.394	1.394	1.394

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Technical Drawing1 页5 年前

Newark

IHS

Arrow Electronics

onsemi

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi FDB13AN06A0 的描述。

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 13.5mΩ

onsemi

N-Channel 60 V 13.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 60V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:115W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:62A; Package / Case:TO-263AB; Power Dissipation Pd:115W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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