Infineon IRG4BC20SD-SPBF

Name: Infineon IRG4BC20SD-SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC20SD-SPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

$ 1.11

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRG4BC20SD-SPBF	10,900					1.340	1.110	0.992	4h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC20SD-SPBF	0	350	Bulk				4.950	4.950	21h
Farnell		IRG4BC20SD-SPBF	0	1		3.368*	3.368*	3.368*	3.368*	3.368*	3h
Verical		IRG4BC20SD-SPBF	313	224					1.388	1.240
Win Source		WS-IRG4BC20SD-SPBF	17,000	40				1.250	1.015	1.015	5h

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IHS

Datasheet11 页16 年前

Newark

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-12-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

描述

由其分销商提供的 Infineon IRG4BC20SD-SPBF 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

STANDARD SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:1.6V; Power Dissipation:60W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:38A; No. of Pins:3; Power, Pd:60W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall Max:730ns; Time, Rise:35ns; Transistors, No. of:1

Farnell