Infineon IRFSL7734PBF

Name: Infineon IRFSL7734PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFSL7734PBF

Single N-Channel 75 V 3.5 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3

$ 1.675

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRFSL7734PBF	3,029					1.280	1.150	1.080	1h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFSL7734PBF	0	800	Bulk				2.200	2.200	18h
Verical		IRFSL7734PBF	2,959	235					1.438	1.350
Component Stockers USA		IRFSL7734PBF	472			0.210	0.210	1.400	1.260	1.260	3d
Worldway Electronics		IRFSL7734PBF	15,564	7	Tube		0.343	0.333	0.315	0.315	1d

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IHS

Datasheet13 页11 年前

Newark

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-01-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2022-09-30

LTD Date2023-03-31

描述

由其分销商提供的 Infineon IRFSL7734PBF 的描述。

Single N-Channel 75 V 3.5 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

IHS

Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET

Infineon

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:183A; On Resistance Rds(On):0.0035Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V Rohs Compliant: Yes

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