Infineon IRFS4410ZTRLPBF

Name: Infineon IRFS4410ZTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS4410ZTRLPBF

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 0.946

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFS4410ZTRLPBF	23,200	800					0.749	0.738	1d
Arrow Electronics	4	IRFS4410ZTRLPBF	883	1		2.100	1.650	1.147	0.944	0.944
Future Electronics	3	IRFS4410ZTRLPBF	87,200	800	Tape & Reel				0.910	0.860
Rochester Electronics		IRFS4410ZTRLPBF	797					1.140	0.946	0.844	3h
DigiKey	3	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	2,423	1	Cut Tape	3.010	1.949	1.342	1.024	0.840

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IHS

Datasheet12 页12 年前

Datasheet13 页12 年前

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备用零件

此零件

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InfineonIRFS4410ZTRLPBF

InfineonIRFS4410ZPBF

Price @ 1000

$ 0.946

$ 3.38

Stock

1,176,946

506,993

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

97 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

230 W

Input Capacitance

4.82 nF

供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-03-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon IRFS4410ZTRLPBF 的描述。

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Single N-Channel 100V 9 mOhm 83 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

Win Source

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 97A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:97A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes

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